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TLP251(TP1)

Optocoupler Drive Push-Pull 1CH 30V 600V 8Pin PDIP SMD T/R

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Produktdetails finden Sie in den Produktspezifikationen.

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TLP251(TP1)

Optocoupler Drive Push-Pull 1CH 30V 600V 8Pin PDIP SMD T/R

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 1.000 US-Dollar entfällt die Versandkostenpauschale in Höhe von 30 US-Dollar.

Bei Bestellungen über 5.000 US-Dollar entfallen die Versand- und Transaktionsgebühren.

Diese Angebote gelten sowohl für Neu- als auch für Bestandskunden und sind vom 1. Januar 2024 bis 31. Dezember 2024 gültig.

  • Hersteller：

    TOSHIBA

  • Datenblatt：

    TLP251(TP1) datasheet

  • Paket/Koffer：

    DIP-8

  • Produktkategorie：

    RF Integrierte Schaltungen

  • RoHS Status：

Senden Sie jetzt Ihre Angebotsanfrage und wir erwarten, dass wir Ihnen innerhalb von 24 Stunden ein Angebot unterbreiten Mai 05, 2024. Geben Sie jetzt Ihre Bestellung auf und wir gehen davon aus, dass die Transaktion innerhalb dieser Frist abgeschlossen wird Mai 08, 2024. Ps: Die Zeit entspricht GMT+8:00.

Lieferung：
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Zahlung ：
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Aktie：12590 PCS

Unser Anspruch ist es, innerhalb von 12 Stunden zeitnahe Angebote zu liefern. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie uns bitte unter sales@censtry.com.

TLP251(TP1) Produktdetails

Features

-Input threshold current: IF=5mA(max.)

-Supply current (ICC): 11mA(max.)

-Supply voltage (VCC): 10−35V

-Output current (IO): ±0.4A(max.)

-Switching time (tpLH / tpHL): 1μs(max.)

-Isolation voltage: 2500Vrms(min.)

-UL recognized: UL1577, file no.E67349

-Option(D4)

  VDE Approved : DIN EN60747-5-2

  Maximum Operating Insulation Voltage : 890VPK

  Highest Permissible Over Voltage : 4000VPK


Description

The TOSHIBA TLP251 consists of a GaAℓAs light emitting diode and a integrated photodetector.

This unit is 8-lead DIP package.

TLP251 is suitable for gate driving circuit of IGBT or power MOS FET. Especially TLP251 is capable of “direct” gate drive of lower power IGBTs. (~15A)


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