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K7N803645B-QC13

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM

Die Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie in den Produktspezifikationen.

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K7N803645B-QC13

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

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Bei Bestellungen über 1.000 US-Dollar entfällt die Versandkostenpauschale in Höhe von 30 US-Dollar.

Bei Bestellungen über 5.000 US-Dollar entfallen die Versand- und Transaktionsgebühren.

Diese Angebote gelten sowohl für Neu- als auch für Bestandskunden und sind vom 1. Januar 2024 bis 31. Dezember 2024 gültig.

  • Hersteller:

    SAMSUNG

  • Datenblatt:

    K7N803645B-QC13 datasheet

  • Paket/Koffer:

    LQFP-100

  • Produktkategorie:

    RF Integrierte Schaltungen

  • RoHS Status:

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Aktie:3000 PCS

Unser Anspruch ist es, innerhalb von 12 Stunden zeitnahe Angebote zu liefern. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie uns bitte unter sales@censtry.com.

K7N803645B-QC13 Produktdetails

Features

• 3.3V+0.165V/-0.165V Power Supply.

• I/O Supply Voltage 3.3V+0.165V/-0.165V for 3.3V I/O or 2.5V+0.4V/-0.125V for 2.5V I/O.

• Byte Writable Function.

• Enable clock and suspend operation.

• Single READ/WRITE control pin.

• Self-Timed Write Cycle.

• Three Chip Enable for simple depth expansion with no data contention .

• Α interleaved burst or a linear burst mode.

• Asynchronous output enable control.

• Power Down mode.

• 100-TQFP-1420A

• Operating in commercial and industrial temperature range.


Description

The K7N803601B and K7N801801B are 9,437,184 bits Synchronous Static SRAMs.


The NtRAMTM, or No Turnaround Random Access Memory utilizes all the bandwidth in any combination of operating cycles. Address, data inputs, and all control signals except output

enable and linear burst order are synchronized to input clock. Burst order control must be tied "High or Low". Asynchronous inputs include the sleep mode enable(ZZ). Output Enable controls the outputs at any given time. Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising edge of the clock input. This feature eliminates complex offchip write pulse generation and provides increased timing flexibility for incoming signals.


For read cycles, pipelined SRAM output data is temporarily stored by an edge triggered output register and then released to the output buffers at the next rising edge of clock.


The K7N803601B and K7N801801B are implemented with SAMSUNG′s high performance CMOS technology and is available in 100pin TQFP and Multiple power and ground pins minimize ground bounce.

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