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FDS6675BZ

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

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Produktdetails finden Sie in den Produktspezifikationen.

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MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 1.000 US-Dollar entfällt die Versandkostenpauschale in Höhe von 30 US-Dollar.

Bei Bestellungen über 5.000 US-Dollar entfallen die Versand- und Transaktionsgebühren.

Diese Angebote gelten sowohl für Neu- als auch für Bestandskunden und sind vom 1. Januar 2024 bis 31. Dezember 2024 gültig.

  • Hersteller：

    onsemiconductor

  • Datenblatt：

    FDS6675BZ datasheet

  • Paket/Koffer：

    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • Produktkategorie：

    Buchsen, Tüllen

  • RoHS Status：

Senden Sie jetzt Ihre Angebotsanfrage und wir erwarten, dass wir Ihnen innerhalb von 24 Stunden ein Angebot unterbreiten Mai 21, 2024. Geben Sie jetzt Ihre Bestellung auf und wir gehen davon aus, dass die Transaktion innerhalb dieser Frist abgeschlossen wird Mai 23, 2024. Ps: Die Zeit entspricht GMT+8:00.

Lieferung：
fedex ups ems dhl other
Zahlung ：
jcb American express tt discover paypal

Aktie：19881 PCS

Unser Anspruch ist es, innerhalb von 12 Stunden zeitnahe Angebote zu liefern. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie uns bitte unter sales@censtry.com.

FDS6675BZ Teileaustausch

Bild und Teilenummer Hersteller Paket/Koffer Produktkategorie Datenblatt Aktie Zitat
Blue Rocket SOP-8 Buchsen, Tüllen 1079

FDS6675BZ Produktdetails

  • Max rDS(on) = 13mΩ at VGS = -10V, ID = -11A
  • Max rDS(on) = 21.8mΩ at VGS = -4.5V, ID = -9A
  • Extended VGS range (-25V) for battery applications
  • HBM ESD protection level of 5.4 KV typical (note 3)
  • High performance trench technology for extremely low rDS(on)
  • High power and current handing capability
  • RoHS Compliant

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