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FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

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Produktdetails finden Sie in den Produktspezifikationen.

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FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

  • Hersteller:

    onsemiconductor

  • Datenblatt:

    FDN360P datasheet

  • Paket/Koffer:

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • Produktkategorie:

    Buchsen, Tüllen

  • RoHS Status: RoHS-Status Lead free/RoHS Compliant

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Aktie : 105023 PCS

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FDN360P Teileaustausch

Bild und Teilenummer Hersteller Paket/Koffer Produktkategorie Datenblatt Aktie Zitat
Blue Rocket SOT23-3 Buchsen, Tüllen 1418

FDN360P Produktdetails

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FDN360P

Description

The FDN360P is a high-performance Trans MOSFET from Guangdong Shikues Micro Industrial Co., Ltd. It features a P-CH 30V, 2A rating with low gate charge and advanced trench technology for minimal on-state resistance (RDS(ON)). The FDN360P is versatile and suitable for various applications, particularly in battery-powered circuits due to its efficient power handling capabilities.

Features

The FDN360P features a high-performance trench technology, which provides extremely low Rdson (on-resistance). It has a low gate charge of around 6.2nC typical, making it suitable for fast switching applications. This MOSFET comes in an industry-standard SOT-23 package, but with a 30% higher power handling capability compared to the standard version. Its versatility and performance make it well-suited for battery-powered circuits and general-purpose applications.

Package

The package type of FDN360P is SSOT-3, a SuperSOT three-pin package.

Pinout

The FDN360P has a pin count of 3, which are typically referred to as Pin 1 (Source), Pin 2 (Drain), and sometimes a third pin for Gate or other functionality. Functionally, Pin 1 connects to the source terminal of the MOSFET, while Pin 2 connects to the drain terminal. The third pin (Gate) controls the flow of current between Source and Drain. Please note that actual documentation should be consulted for definitive information on the FDN360P's pin functions.

Manufacturer

The FDN360P is manufactured by Guangdong Shikues Micro Industrial Co., Ltd. This company appears to be a specialized micro-industrial firm, focusing on the production of electronic components.

Applications

The FDN360P is a high-performance MOSFET suitable for various applications, including battery-powered circuits due to its low RDS(on) and compact size.

Gesamte historische Bestellungen pro Jahr

Jährliche Bestellhistorie für FDN360P
Jahr Gesamtbestellungen (Menge)
2019 2
2021 1
2023 1

Marktnachfrage-Einblick: Die historischen Daten zeigen ein stabiles und konsistentes Nachfragemuster mit durchschnittlich 1.3 Bestellungen pro Jahr und machen diese Komponente zu einer verlässlichen Wahl für die langfristige Beschaffung.

Jährliche Schwankung der Bestellmengen (nach Jahr aggregiert): Standardabweichung 0.47; Spannweite (Maximum minus Minimum) 1.

Dieses Diagramm zeigt das jährliche Bestellvolumen dieses Teils in den letzten 10 Jahren und verdeutlicht historische Nachfrage und Marktaktivität. Mehrjahresdaten helfen Käufern, Nachfragestabilität, Beschaffungsmuster und langfristige Marktpräsenz besser einzuschätzen.

FDN360P Zugehörige Produkte

  • Hersteller Aktie Datenblatt
  • FDS6990A FDS6990A

    onsemiconductor

    1968 PCS

    FDS6990A .PDF

  • MMBT5179 MMBT5179

    onsemiconductor

    6406 PCS

    MMBT5179 .PDF

  • FAN7393AMX FAN7393AMX

    onsemiconductor

    19642 PCS

    FAN7393AMX .PDF

  • FAN73933M FAN73933M

    onsemiconductor

    0 PCS

    FAN73933M .PDF

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