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FDN306P

MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3

FDN306P
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FDN306P

MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3

  • Hersteller:

    onsemiconductor

  • Datenblatt:

    FDN306P datasheet

  • Paket/Koffer:

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • Produktkategorie:

    Buchsen, Tüllen

  • RoHS Status: RoHS-Status Lead free/RoHS Compliant

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Aktie : 60229 PCS

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FDN306P Teileaustausch

Bild und Teilenummer Hersteller Paket/Koffer Produktkategorie Datenblatt Aktie Zitat
Blue Rocket SOT23-3 Buchsen, Tüllen 1254

FDN306P Produktdetails

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FDN306P

Description

The FDN306P is a P-channel power MOSFET manufactured by Onsemi. It's designed for low RDS(ON), enabling efficient power control in various applications. Key features include high performance trench technology, a SuperSOT-3 package for low RDS(ON) and improved power handling, as well as fast switching speed. Suitable applications range from voltage regulation and current limiting in embedded systems to power supply management and short circuit protection in industrial automation.

Package

The FDN306P has a Package Type of SOT-23-3, which is a small surface-mount transistor format.

Pinout

The FDN306P is a P-channel 12V MOSFET with a SOT-23-3 package. It has three pins:
Drain (D): Output terminal, connects to the load.
Gate (G): Control input, a low signal (<0.8V) allows current flow through the device.
Source (S): Unloaded input terminal, connected to the power supply. This MOSFET is designed for high performance and low on-resistance in various applications like voltage regulation, current limiting, circuit protection, and more.

Manufacturer

The manufacturer of the FDN306P is onsemi, a semiconductor company. It specializes in producing electronic components, including power MOSFETs for various applications. Onsemi is known for its technological advancements and commitment to customer satisfaction.

Applications

The FDN306P P-channel MOSFET from OnSemi is widely used in various applications, including:
Voltage regulation in power electronics.
Current limiting to protect circuits from excessive current.
Circuit protection in appliances and electronic devices.
Automotive systems for low voltage operation and power efficiency.
Power control in embedded systems and energy management. These applications highlight the FDN306P's versatility in handling various electrical tasks with speed, efficiency, and safety.

Equivalent

The equivalent product of FDN306P by onsemi is likely another P-Channel MOSFET with similar voltage, current capability, and package size.

Gesamte historische Bestellungen pro Jahr

Jährliche Bestellhistorie für FDN306P
Jahr Gesamtbestellungen (Menge)
2017 1
2018 1
2021 1
2022 1

Marktnachfrage-Einblick: Die historischen Daten zeigen ein stabiles und konsistentes Nachfragemuster mit durchschnittlich 1 Bestellungen pro Jahr und machen diese Komponente zu einer verlässlichen Wahl für die langfristige Beschaffung.

Jährliche Schwankung der Bestellmengen (nach Jahr aggregiert): Standardabweichung 0.00; Spannweite (Maximum minus Minimum) 0.

Dieses Diagramm zeigt das jährliche Bestellvolumen dieses Teils in den letzten 10 Jahren und verdeutlicht historische Nachfrage und Marktaktivität. Mehrjahresdaten helfen Käufern, Nachfragestabilität, Beschaffungsmuster und langfristige Marktpräsenz besser einzuschätzen.

FDN306P Zugehörige Produkte

  • Hersteller Aktie Datenblatt
  • FDS6990A FDS6990A

    onsemiconductor

    1968 PCS

    FDS6990A .PDF

  • MMBT5179 MMBT5179

    onsemiconductor

    6406 PCS

    MMBT5179 .PDF

  • FAN7393AMX FAN7393AMX

    onsemiconductor

    19642 PCS

    FAN7393AMX .PDF

  • FAN73933M FAN73933M

    onsemiconductor

    0 PCS

    FAN73933M .PDF

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