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FQPF10N60C

MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

FQPF10N60C
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FQPF10N60C

MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 1.000 US-Dollar entfällt die Versandkostenpauschale in Höhe von 30 US-Dollar.

Bei Bestellungen über 5.000 US-Dollar entfallen die Versand- und Transaktionsgebühren.

Diese Angebote gelten sowohl für Neu- als auch für Bestandskunden und sind vom 1. Januar 2024 bis 31. Dezember 2024 gültig.

  • Hersteller：

    ON

  • Datenblatt：

    FQPF10N60C datasheet

  • Paket/Koffer：

    TO-220-3

  • Produktkategorie：

    IC-Chips

  • RoHS Status：

Senden Sie jetzt Ihre Angebotsanfrage und wir erwarten, dass wir Ihnen innerhalb von 24 Stunden ein Angebot unterbreiten Mai 03, 2024. Geben Sie jetzt Ihre Bestellung auf und wir gehen davon aus, dass die Transaktion innerhalb dieser Frist abgeschlossen wird Mai 08, 2024. Ps: Die Zeit entspricht GMT+8:00.

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Aktie：2000 PCS

Unser Anspruch ist es, innerhalb von 12 Stunden zeitnahe Angebote zu liefern. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie uns bitte unter sales@censtry.com.

FQPF10N60C Teileaustausch

Bild und Teilenummer Hersteller Paket/Koffer Produktkategorie Datenblatt Aktie Zitat
Blue Rocket Buchsen, Tüllen 1702

FQPF10N60C Produktdetails

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to mini-mize on-state resistance, provide superior switching perfor-mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.

These devices are well suited for high effi-ciency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Features

● 9.5A, 600 V, Rps(on)= 730 mQ (Max.) @ Vcs= 10 V, lp=4.75 A

● Low Gate Charge (Typ. 44 nC)

● Low Crss (Typ. 18 pF)

● 100% Avalanche Tested

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Absolute Maximum Ratings

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Thermal Characteristics

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