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FDS86242

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

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Produktdetails finden Sie in den Produktspezifikationen.

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MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 1.000 US-Dollar entfällt die Versandkostenpauschale in Höhe von 30 US-Dollar.

Bei Bestellungen über 5.000 US-Dollar entfallen die Versand- und Transaktionsgebühren.

Diese Angebote gelten sowohl für Neu- als auch für Bestandskunden und sind vom 1. Januar 2024 bis 31. Dezember 2024 gültig.

  • Hersteller：

    ON

  • Datenblatt：

    FDS86242 datasheet

  • Paket/Koffer：

    SOP-8

  • Produktkategorie：

    RF Integrierte Schaltungen

  • RoHS Status： RoHS-Status Lead free/RoHS Compliant

Senden Sie jetzt Ihre Angebotsanfrage und wir erwarten, dass wir Ihnen innerhalb von 24 Stunden ein Angebot unterbreiten Mai 02, 2024. Geben Sie jetzt Ihre Bestellung auf und wir gehen davon aus, dass die Transaktion innerhalb dieser Frist abgeschlossen wird Mai 06, 2024. Ps: Die Zeit entspricht GMT+8:00.

Lieferung：
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Zahlung ：
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Aktie：5000 PCS

Unser Anspruch ist es, innerhalb von 12 Stunden zeitnahe Angebote zu liefern. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie uns bitte unter sales@censtry.com.

FDS86242 Produktdetails

Features

Max rDS(on) = 67 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.1 A

Max rDS(on) = 98 mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.3 A 

High performance trench technology for extremely low rDS(on)

High power and current handling capability in a widely used 

surface mount package

100% UIL Tested

RoHS Compliant


General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild 

Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has 

been optimized for rDS(on), switching performance and 

ruggedness.


Applications

DC/DC converters and Off-Line UPS

Distributed Power Architectures and VRMs

Primary Switch for 24V and 48V Systems

High Voltage Synchronous Rectifier


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