Datenblätter Ersatzlösungen
RFQ/BOM 0 Anmelden / Registrieren

Wähle deinen Standort

HSB649A-C

HSMC Transistoren TO-126

HSB649A-C
  • HSB649A-C
  • play
    product video

Die Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie in den Produktspezifikationen.

Sozialen Medien

HSB649A-C

HSMC Transistoren TO-126

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 1.000 US-Dollar entfällt die Versandkostenpauschale in Höhe von 30 US-Dollar.

Bei Bestellungen über 5.000 US-Dollar entfallen die Versand- und Transaktionsgebühren.

Diese Angebote gelten sowohl für Neu- als auch für Bestandskunden und sind vom 1. Januar 2024 bis 31. Dezember 2024 gültig.

  • Hersteller：

    HSMC

  • Datenblatt：

    HSB649A-C datasheet

  • Paket/Koffer：

    TO-126

  • Produktkategorie：

    Transistoren

  • RoHS Status：

Senden Sie jetzt Ihre Angebotsanfrage und wir erwarten, dass wir Ihnen innerhalb von 24 Stunden ein Angebot unterbreiten Mai 20, 2024. Geben Sie jetzt Ihre Bestellung auf und wir gehen davon aus, dass die Transaktion innerhalb dieser Frist abgeschlossen wird Mai 23, 2024. Ps: Die Zeit entspricht GMT+8:00.

Lieferung：
fedex ups ems dhl other
Zahlung ：
jcb American express tt discover paypal

Aktie：4400 PCS

Unser Anspruch ist es, innerhalb von 12 Stunden zeitnahe Angebote zu liefern. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie uns bitte unter sales@censtry.com.

HSB649A-C Produktdetails

blob.png

Description

Low frequency power amplifier complementary pair with HSD669A.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

• Maximum Temperatures 

  Storage Temperature.............................-55 ~ +150 °C 

  Junction Temperature............................+150 °C Maximum 

• Maximum Power Dissipation 

  Total Power Dissipation ........................1 W 

  Total Power Dissipation (Tc=25°C) .............20 W 

• Maximum Voltages and Currents 

  BVCBO Collector to Base Voltage.................-180 V 

  BVCEO Collector to Emitter Voltage..............-160 V 

  BVEBO Emitter to Base Voltage...................-5 V 

  IC Collector Current (DC) ......................-1.5 A 

  IC Collector Current (Pulse) ................... -3 A


Electrical Characteristics (Ta=25°C)

blob.png


Classification Of hFE1

blob.png


TO-126ML Dimension

blob.png    

3-Lead TO-126ML Plastic Package HSMC Package Code: D


Marking:

blob.png

Style: Pin 1.Emitter 2.Collector 3.Base

blob.png

Notes: 

1.Dimension and tolerance based on our Spec. dated Mar. 6,1995. 

2.Controlling dimension: millimeters. 

3.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material. 

4.If there is any question with packing specification or packing method, please contact your local HSMC sales office. 

Material: 

• Lead: 42 Alloy; solder plating 

• Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0


Request a quote HSB649A-C at censtry.com. All items are new and original with 365 days warranty! The excellent quality and guaranteed services of HSB649A-C in stock for sale, check stock quantity and pricing, view product specifications, and order contact us：sales@censtry.com.
The price and lead time for HSB649A-C depending on the quantity required, please send your request to us, our sales team will provide you price and delivery within 24 hours, we sincerely look forward to cooperating with you.

Richtung：

SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

HSB649A-C Zugehörige Produkte