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MRFE6S9160H

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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Produktdetails finden Sie in den Produktspezifikationen.

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MRFE6S9160H

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

Bei Bestellungen über 1.000 US-Dollar entfällt die Versandkostenpauschale in Höhe von 30 US-Dollar.

Bei Bestellungen über 5.000 US-Dollar entfallen die Versand- und Transaktionsgebühren.

Diese Angebote gelten sowohl für Neu- als auch für Bestandskunden und sind vom 1. Januar 2024 bis 31. Dezember 2024 gültig.

  • Hersteller：

    FREESCALE/NXP/AVNET

  • Datenblatt：

    MRFE6S9160H datasheet

  • Paket/Koffer：

    SMD

  • Produktkategorie：

    Transistoren

  • RoHS Status：

Senden Sie jetzt Ihre Angebotsanfrage und wir erwarten, dass wir Ihnen innerhalb von 24 Stunden ein Angebot unterbreiten Mai 09, 2024. Geben Sie jetzt Ihre Bestellung auf und wir gehen davon aus, dass die Transaktion innerhalb dieser Frist abgeschlossen wird Mai 13, 2024. Ps: Die Zeit entspricht GMT+8:00.

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Aktie：6436 PCS

Unser Anspruch ist es, innerhalb von 12 Stunden zeitnahe Angebote zu liefern. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie uns bitte unter sales@censtry.com.

MRFE6S9160H Produktdetails

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters 

• Internally Matched for Ease of Use 

• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation 

• Integrated ESD Protection 

• RoHS Compliant 

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.


Description

Designed for N - CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. 

• Typical Single-Carrier N-CDMA. Performance @ 880 MHz: VDD = 28 Volts, IDQ = 1200 mA, Pout = 35 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF. Power Gain ó 21 dB Drain Efficiency ó 31% ACPR @ 750 kHz Offset ó -46.8 dBc in 30 kHz Bandwidth 

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, 3 dB Overdrive, Designed for Enhanced Ruggedness.


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Maximum Ratings

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Thermal Characteristics

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1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product.

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes - AN1955.

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The price and lead time for MRFE6S9160H depending on the quantity required, please send your request to us, our sales team will provide you price and delivery within 24 hours, we sincerely look forward to cooperating with you.

Richtung：

RF Power Field Effect Transistors

MRFE6S9160H

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