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MRF6V2300NR1

10--600 MHz, 300 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL SINGLE--ENDED BROADBAND RF POWER MOSFETs

Die Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie in den Produktspezifikationen.

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MRF6V2300NR1

10--600 MHz, 300 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL SINGLE--ENDED BROADBAND RF POWER MOSFETs

Bei Bestellungen über 200 $ besteht Anspruch auf ein Geschenk im chinesischen Stil in limitierter Auflage.

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Bei Bestellungen über 1.000 US-Dollar entfällt die Versandkostenpauschale in Höhe von 30 US-Dollar.

Bei Bestellungen über 5.000 US-Dollar entfallen die Versand- und Transaktionsgebühren.

Diese Angebote gelten sowohl für Neu- als auch für Bestandskunden und sind vom 1. Januar 2024 bis 31. Dezember 2024 gültig.

  • Hersteller:

    Avnet/NXP/Freescale

  • Datenblatt:

    MRF6V2300NR1 datasheet

  • Paket/Koffer:

    TO-270

  • Produktkategorie:

    Transistoren

  • RoHS Status:

Senden Sie jetzt Ihre Angebotsanfrage und wir erwarten, dass wir Ihnen innerhalb von 24 Stunden ein Angebot unterbreiten Mai 10, 2024. Geben Sie jetzt Ihre Bestellung auf und wir gehen davon aus, dass die Transaktion innerhalb dieser Frist abgeschlossen wird Mai 14, 2024. Ps: Die Zeit entspricht GMT+8:00.

Lieferung:
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Zahlung :
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Aktie:6332 PCS

Unser Anspruch ist es, innerhalb von 12 Stunden zeitnahe Angebote zu liefern. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie uns bitte unter sales@censtry.com.

MRF6V2300NR1 Produktdetails

• Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters 

• Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation 

• Integrated ESD Protection 

• 225°C Capable Plastic Package 

• RoHS Compliant 

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel

Description

Designed primarily for CW large--signal output and driver applications with frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications. 

• Typical CW Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 900 mA, Pout = 300 Watts, f = 220 MHz Power Gain ó 25.5 dB Drain Efficiency ó 68% 

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 300 Watts CW Output Power


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Table 1. Maximum Ratings

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Table 2. Thermal Characteristics

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Table 3. ESD Protection Characteristics

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1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product. 

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes -- AN1955.

Request a quote MRF6V2300NR1 at censtry.com. All items are new and original with 365 days warranty! The excellent quality and guaranteed services of MRF6V2300NR1 in stock for sale, check stock quantity and pricing, view product specifications, and order contact us:sales@censtry.com.
The price and lead time for MRF6V2300NR1 depending on the quantity required, please send your request to us, our sales team will provide you price and delivery within 24 hours, we sincerely look forward to cooperating with you.

Richtung:

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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